News&Markets

Cree demonstrates high quality 150-mm silicon carbide substrates

2013-11-25 17:04:13 tonya 4

Cree, Inc. Nasdaq: CREE), announced today that it has achieved a major breakthrough in the development and wide scale commercialization of silicon carbide SiC) technology with the demonstration of high quality, 150-mm SiC substrates with micropipe densities of less than 10/cm2. The current Cree standard for SiC substrates is 100-mm diameter material.


SiC is a high-performance semiconductor material used in the production of a broad range of lighting, power and communication components, including light-emitting diodes LEDs), power switching devices and RF power transistors for wireless communications. The significant size advancement of single crystal SiC substrates to 150-mm can enable cost reduction and increased throughput, while bolstering the continued growth of the SiC industry.


“Cree's achievement of 150-mm SiC substrates further demonstrates Cree's leadership in SiC materials technology,” said Dr. Vijay Balakrishna, Cree Materials product line manager. Steve Kelley, Cree chief operating officer, added, “We expect that 150-mm substrates can reduce device cost, boost manufacturing output and expand our product range